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IW8PGT

[Mendicino(CS)-Italy]

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LW1DSE > TECH     09.09.17 16:15l 247 Lines 13055 Bytes #999 (0) @ WW
BID : 150-LW1DSE
Read: GUEST
Subj: Fuentes Conmutadas #23 [CP437]
Path: IW8PGT<IV3ONZ<IZ3LSV<IW0QNL<JH4XSY<JM1YTR<JE7YGF<VE3UIL<LU9DCE<LU4ADN<
      LU7DQP
Sent: 170909/1345Z @:LU7DQP.#LAN.BA.ARG.SOAM #:18412 [Lanus Oeste] FBB7.00i
From: LW1DSE@LU7DQP.#LAN.BA.ARG.SOAM
To  : TECH@WW


[¯¯¯ TST HOST 1.43c, UTC diff:5, Local time: Sun Aug 20 10:40:08 2017 ®®®]

ÉÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍ»
º                     FUENTES DE ALIMENTACION CONMUTADAS                    º
º                           Por Osvaldo LW1DSE                              º
ÈÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍͼ

        Ya hemos visto como exitar un MOSFET desde un controlador de PWM que
debe permancer aislado de la potencia. Si fuera necesario exitar m s de uno
de ellos de manera directa, por ejemplo desde la salida de un UC3524/25, sim-
plemente tendremos que duplicar la cantidad de componentes necesarios y dispo-
nerlos de la manera explicada en el pen£ltimo cap¡tulo, y utilizar dos juegos
de exitadores directos para cada uno de los MOSFET's.

        Empero, la cosa no es tan simple cuando deben ser exitadas dos unida-
des que deben estar aisladas entre s¡, y con respecto al controlador, por
ejemplo un half/full bridge. Una soluci¢n consiste en disponer dos circuitos
exitadores independientes, similares a los que se han desarrollado en la pre-
sentaci¢n anterior. Sin embargo, la existencia de dos transformadores de exi-
taci¢n es una implementaci¢n poco utilizada, figura 1. Principalemente, por
una raz¢n de costos, y espacio ocupado. Normalmente se apela a combinar las
dos fases de exitaci¢n sobre un mismo transformador, por lo cual se gana en
espacio y costo, pero por sobre todo se dispone de una interesante ventaja
desde el punto de vista el‚ctrico.

       +24V o  ³³  Cbp1
            ÃÄÄ´ÃÄÄ¿
            ³  ³³ ÄÁÄ                    o ++B
        P³ÄÄ´ Q1  ///                    ³        Figura 1:Driver para 2
       ÚÄ´>ÄÙ                            ³        MOSFET con exitadores
       ³ ³ÄÄ¿       T1                   ³        iguales independientes.
 IN    ³    ³ +³³  -    ³³ Rg1        ³ÄÄÙ
   oÄÄÄ´    ÃÄÄ´ÃÄÄÄ¿ ÚÄ´Ãı±±ÄÄÂÄÄÂÄÄ´<Ä¿
       ³    ³  ³³C1 ³ ³ ³³      ³  ³  ³ÄÄ´  MF1
 Fase 1³ ³ÄÄÙ       ³º³ Cg1     ³  ±     ³
       ÀÄ´<Ä¿ Q2   øÛºÛø        ³  ±Rp1  ³
         ³ÄÄ´       ÛºÛ         ³  ÀÄÄÄÄÄ´
           ÄÁÄ      ÛºÛ         ³        ³
        N  ///      ³º³ 1:1     À[<ô>ÃÄÄ´
                    ³ ³           Z1  D1 ³
              Cbp2 ÄÁÄÀÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄ´
       +24V o  ³³  ///                   ÃÄÄÄo Salida Half Bridge
            ÃÄÄ´ÃÄÄ¿                     ³
        P³ÄÄ´  ³³ ÄÁÄ                    ³
       ÚÄ´>ÄÙ Q3  ///                    ³
       ³ ³ÄÄ¿                            ³
 IN    ³    ³ +³³  -  T2³³ Rg2        ³ÄÄÙ
   oÄÄÄ´    ÃÄÄ´ÃÄÄÄ¿ ÚÄ´Ãı±±ÄÄÂÄÄÂÄÄ´<Ä¿  MF2
       ³    ³  ³³C2 ³ ³ ³³      ³  ³  ³ÄÄ´
 Fase 2³ ³ÄÄÙ       ³º³ Cg2     ³  ±     ³
       ÀÄ´<Ä¿ Q4   øÛºÛø        ³  ±Rp2  ³
         ³ÄÄ´       ÛºÛ         ³  ÀÄÄÄÄÄ´
           ÄÁÄ      ÛºÛ         ³        ³
        N  ///      ³º³ 1:1     À[<ô>ÃÄÄ´
                    ³ ³           Z2  D2 ³
                   ÄÁÄÀÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄ´
                   ///                   ³
                                         o --B

        En la figura 1 vemos un circuito que utiliza dos drivers iguales para
exitar un half bridge, pero es igualmente aplicable a un full bridge, un push
pull, y cualquier otra combinaci¢n que necesite m s de un MOSFET de salida. A
cada driver se le hace llegar la salida del integrado de PWM con la secuencia
necesaria, la cual es amplificada en corriente por el exitador (o no), y apli-
cada a los primarios de cada transformador de aislaci¢n.

       +12V o  ³³  Cbp1
            ÃÄÄ´ÃÄÄ¿
            ³  ³³ ÄÁÄ                    o ++B
         ³ÄÄ´     ///                    ³        Figura 2:Driver para 2
       ÚÄ´>ÄÙQ1                          ³        MOSFET con exitador
       ³ ³ÄÄ¿       T1                   ³        combinado.
 IN    ³    ³           ³³ Rg1        ³ÄÄÙ
   oÄÄÄ´    ÃÄÄÄÄÄÄÄ¿ ÚÄ´Ãı±±ÄÄÂÄÄÂÄÄ´<Ä¿
       ³    ³       ³ ³ ³³      ³  ³  ³ÄÄ´  MF1
 è1    ³ ³ÄÄÙ       ³º³ Cg1     ³  ±     ³
       ÀÄ´<Ä¿Q2     ³ºÛø        ³  ±Rp1  ³
         ³ÄÄ´       ³ºÛ         ³  ÀÄÄÄÄÄ´
           ÄÁÄ     øÛºÛ         ³        ³
           ///      Ûº³         À[<ô>ÃÄÄ´
                    Ûº³           Z1  D1 ³
              Cbp2  ÛºÀÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄ´
       +12V o ³³    Ûº                   ÃÄÄÄo Salida Half Bridge
            ÃÄ´ÃÄ¿  Ûº                   ³
         ³ÄÄ´ ³³ÄÁÄ ³º  ³³ Rg2        ³ÄÄÙ
       ÚÄ´>ÄÙ   /// ³ºÚÄ´Ãı±±ÄÄÂÄÄÂÄÄ´<Ä¿  MF2
       ³ ³ÄÄ¿Q3     ³º³ ³³      ³  ³  ³ÄÄ´
 IN    ³    ³       ³º³ Cg2     ³  ±     ³
   oÄÄÄ´    ÃÄÄÄÄÄÄÄÙºÛ         ³  ±Rp2  ³
       ³    ³        ºÛ         ³  ÀÄÄÄÄÄ´
 è2    ³ ³ÄÄÙ        ºÛ         ³        ³
       ÀÄ´<Ä¿        º³ø        À[<ô>ÃÄÄ´
         ³ÄÄ´Q4       ³           Z2  D2 ³
           ÄÁÄ        ÀÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄ´
           ///        1:1:1              ³
                                         o --B


 è1   ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿
      ³   ³       ³   ³       ³   ³       ³   ³       ³   ³
  -------------------------------------------------------------------
            ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿       ÚÄ
            ³   ³       ³   ³       ³   ³       ³   ³       ³
 è2 -----------------------------------------------------------------




      ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿
      ³   ³       ³   ³       ³   ³       ³   ³       ³   ³    Terminal
    ÄÄÙ   ÀÄÄÄÄÄÄÄÙ   ÀÄÄÄÄÄÄÄÙ   ÀÄÄÄÄÄÄÄÙ   ÀÄÄÄÄÄÄÄÙ   ÀÄÄÄ con ø de T1
                                                               trafo
            ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿       ÚÄ
            ³   ³       ³   ³       ³   ³       ³   ³       ³  Terminal
     ÄÄÄÄÄÄÄÙ   ÀÄÄÄÄÄÄÄÙ   ÀÄÄÄÄÄÄÄÙ   ÀÄÄÄÄÄÄÄÙ   ÀÄÄÄÄÄÄÄÙ  sin ø de T1



      ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿< +12V ÚÄÄÄ¿
      ³   ³       ³   ³       ³   ³       ³   ³       ³   ³
   --ÄÙ---ÀÄ¿---ÚÄÙ---ÀÄ¿---ÚÄÙ---ÀÄ¿---ÚÄÙ---ÀÄ¿---ÚÄÙ---ÀÄ¿-- Gate MF1
            ³   ³       ³   ³       ³   ³       ³   ³       ³
            ÀÄÄÄÙ       ÀÄÄÄÙ       ÀÄÄÄÙ       ÀÄÄÄÙ<-12V  À


            ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿       ÚÄÄÄ¿< +12V ÚÄÄÄ¿
            ³   ³       ³   ³       ³   ³       ³   ³       ³
   --Ä¿---ÚÄÙ---ÀÄ¿---ÚÄÙ---ÀÄ¿---ÚÄÙ---ÀÄ¿---ÚÄÙ---ÀÄ¿---ÚÄÙ-- Gate MF2
      ³   ³       ³   ³       ³   ³       ³   ³       ³   ³
      ÀÄÄÄÙ       ÀÄÄÄÙ       ÀÄÄÄÙ       ÀÄÄÄÙ<-12V  ÀÄÄÄÙ


                    Figura 3: Como llegan a las compueras de los
                  MOSFET las exitaciones combinadas de la figura 2

        Como podemos apreciar, se han eliminado los capacitores de acoplo al
primario del transformador, y uno de ellos tambi‚n. Y como puede percatarse
el lector, tambi‚n hemos reducido a la mitad la tensi¢n de alimentaci¢n de
los drivers. La raz¢n es simple. Cuando el driver superior è1 es llevado a la
conducci¢n, impone una tensi¢n de +12V sobre el teminal ø del transformador.
Por ende, todos los terminales hom¢nimos adquieren esa polaridad. La tensi¢n
presente en los devanados secundarios obliga a que sea MF1 el que sea llevado
a la conducci¢n, por ser su gate positivo. Pero simult neamente, se est  apli-
cando una tensi¢n de -12V al gate del MOSFET inferior, por lo que se halla
bien en la regi¢n de corte. Cuando la fase è2 es la que conduce, la situaci¢n
se revierte, conduciendo MF2 y el que se halla al corte es MF1, nuevamente con
una tensi¢n de -12V, por lo tanto el resultado es el mismo al que obten¡amos
con un solo transformador por MOSFET, y doble tensi¢n de alimentaci¢n. Esa es
la ventaja mencionada l¡neas arriba en el texto. Y subyace una m s todav¡a, de
menor relevancia. Cuando ninguno de los driver conduce, ambos est n imponiendo
un potencial de masa por el lado del primario del trafito driver, por lo cual
se halla en cortocircuito, y siendo completamente descargada la inductancia
de magnetizaci¢n del mismo. Por lo tanto no son necesarios los capacitores
de balance de DC sobre el primario. Esto sucede dos veces por ciclo, es decir,
durante cada dead time de cada fase.

        Una variante a£n mejor es la presentada en la figura 4:


       +12V o ³³ Cbp1       D1     ³³  C2
            ÃÄ´ÃÄ¿         Ú´>ÃÄÂÄÄ´ÃÄ¿
            ³ ³³ÄÁÄ        ³    ³  ³³ ³     o ++B
         ³ÄÄ´   ///        ³ ³ÄÄÙ     ³     ³        Figura 4:Driver para 2
       ÚÄ´>ÄÙQ1        C1  ÃÄ´   Q5   ³     ³        MOSFET con exitador
       ³ ³ÄÄ¿       T1     ³ ³Ä>¿     ³     ³        mejorado.
 IN    ³    ³           ³³ ³    ³ Rg  ³  ³ÄÄÙ
   oÄÄÄ´    ÃÄÄÄÄÄÄÄ¿ ÚÄ´ÃÄ´    Ãı±±Ä(ÄÄ´<Ä¿
       ³    ³       ³ ³ ³³ ³    ³     ³  ³ÄÄ´  MF1
 è1    ³ ³ÄÄÙ       ³º³    ³ ³Ä<Ù     ³     ³
       ÀÄ´<Ä¿Q2     ³ºÛø   ÃÄ´   Q6   ³     ³
         ³ÄÄ´       ³ºÛ    ³ ³ÄÄ¿     ³     ³
           ÄÁÄ     øÛºÛ    ³    ³     ³     ³
           ///      Ûº³    À´<ÃÄ´     ³     ³
                    Ûº³    D2   ³     ³     ³
              2:1:1 ÛºÀÄÄÄÄÄÄÄÄÄÁÄÄÄÄÄÁÄÄÄÄÄ´
                    Ûº                      ³
                    Ûº             ³³       ³
                    Ûº  D3 Ú´>ÃÄÂÄÄ´ÃÄ¿C4   ÃÄÄÄo Salida Half Bridge
             Cbp2   Ûº     ³    ³  ³³ ³     ³
                    Ûº     ³ ³ÄÄÙ     ³     ³
       +12V o ³³    Ûº     ÃÄ´   Q7   ³     ³
            ÃÄ´ÃÄ¿  Ûº     ³ ³Ä>¿     ³     ³
         ³ÄÄ´ ³³ÄÁÄ ³º  ³³ ³    ³  Rg2³  ³ÄÄÙ
       ÚÄ´>ÄÙ   /// ³ºÚÄ´ÃÄ´    Ãı±±Ä)ÄÄ´<Ä¿  MF2
       ³ ³ÄÄ¿Q3     ³º³ ³³ ³    ³     ³  ³ÄÄ´
 IN    ³    ³       ³º³ C3 ³ ³Ä<Ù     ³     ³
   oÄÄÄ´    ÃÄÄÄÄÄÄÄÙºÛ    ÃÄ´   Q8   ³     ³
       ³    ³        ºÛ    ³ ³ÄÄ¿     ³     ³
 è2    ³ ³ÄÄÙ        ºÛ    ³    ³     ³     ³
       ÀÄ´<Ä¿        º³ø   À´<ÃÄ´     ³     ³
         ³ÄÄ´Q4       ³         ³     ³     ³
           ÄÁÄ        ÀÄÄÄÄÄÄÄÄÄÁÄÄÄÄÄÁÄÄÄÄÄ´
           ///              D4              ³
                                            o --B

        Se puede observar que b sicamente es el mismo circuito de la fig. 2,
al que se han agregado algunos componentes en el secundario del transformador
con el objeto de mejorar la performance del exitador. Cuando è1 es llevada al
estado l¢gico 1 (12 Volts en nuestro caso), se polariza positivamente el
terminal ø del trafo. Esa misma polaridad se obtiene del lado secundario.
Cuando ello suceda, el diodo D1 conduce cargando al capacitor C2 positivo por
el lado del colector de Q5. As¡ mismo lo hace D4 con C3, mientras permanezca
Q1 encendido. Cuando sea apagado, luego del dead time, è2 encendera a Q3 ha-
ciendo positivo los terminales no ø, con lo cual va a conducir D2 cargando a
C1, y D3 con C4. Luego de un par de ciclos, los capacitores C2 y C4 estar n
cargados al valor pico a pico de la tensi¢n de salida del transformador. Es
decir, unos 12 Volts de DC, despreciando las ca¡das en los citados diodos, y
asumiendo la relaci¢n de vueltas explicitada en la figura 4. De ah¡ en mas,
cada vez que se sucedan los ciclos, si los capacitores C2 y C4 son mucho m s
grandes que la capacidad de compuerta, son los que van a aportar los picos de
carga y descarga de la misma, v¡a los transistores bipolares (BJT's) Q5 a Q8,
los cuales se encender n en concomitancia con las polaridades del transforma-
dor exitador. La funci¢n de ellos es similar a la vista en alg£n cap¡tulo
anterior en lo visto a exitaci¢n directa.

        Como final, se puede ver que los diodos y los capacitores, forman
entre si, un tipo especial de rectificador, conocido como "de cresta a cresta"
y que normalmente se lo utiliza como doblador de tensi¢n. Los transistores
Q5 al Q8 operan como "buffers" o seguidores por emisor a partir de la onda
rectangular modulada en ancho de pulso. Una vez estabilizado este mecanismo,
por el transformador s¢lo circulan los picos necesarios para reponer la ener-
g¡a consumida desde C2 y C4 hacia las compuertas de los MOSFET de potencia MF1
y MF2. Como de ah¡ en adelante se parte de una fuente de baja impedancia como
los osn los capacitores y los seguidores emisivos, la velocidad de conmutaci¢n
es m s que interesante, y justifica plenamente la complejidad.

ÉÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍ»
º       Redacci¢n y dibujos en ASCII por LW1DSE Osvaldo F. Zappacosta.       º
º       Barrio Garay, Almirante Brown (1846), Buenos Aires, Argentina.       º
º Realizado con Editor de Texto de MSDOS 7.10's (edit.com) en mi AMD's 80486.º
º                            26 de mayo de 2012.                             º
ÈÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍͼ

                            Fin del cap¡tulo #23.

ÉÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍ»       
º Osvaldo F. Zappacosta. Barrio Garay (GF05tg) Alte. Brown, Bs As, Argentina.º
º Mother UMC æPC:AMD486@120MHz 32MbRAM HD SCSI 8.4Gb MSDOS 7.10 TSTHOST1.43C º
º               6 celdas 2V 150AH. 18 paneles solares 10W.                   º
º                  lw1dse@yahoo.com ; lw1dse@gmail.com                       º
ÈÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍͼ



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