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LW1DSE > TECH 11.09.17 00:24l 247 Lines 14405 Bytes #999 (0) @ WW
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Subj: Fuentes Conmutadas #25 [CP437]
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ÉÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍ»
º FUENTES DE ALIMENTACION CONMUTADAS º
º Por Osvaldo LW1DSE º
ÈÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍͼ
Llega el turno de dedicarle unas l¡neas a la £ltima de las maneras
comunes de excitar un MOSFET que se halla alejado el‚ctricamente del conductor
com£n de masa.
c) Integrados espec¡ficos "high side driver": Por cuestiones de seguridad de
funcionamiento y disipaci¢n de energ¡a en forma de calor dentro de un IC, rara
vez se utiliza el circuito descripto en la figura 2 del cap¡tulo 21. En lugar
se ha hecho popular un mecanismo que tengo entendido, el dise¤o original se
debe a la firma International Rectifier (Hoy d¡a, parte de Texas Instruments),
si bien hoy en d¡a son varias las que lo producen. Vamos a tratar de explicar
la idea, y despu‚s ver como se lo utiliza en la pr ctica.
+12-15V | D1
OÄÄÄÄ´>ÃÄÄÄÄÄÄÄÄÄÂÄÄÄÄÄÄÄÂÄÄÄÄÄÄÄ¿
N1 N2 ³ ³ ³
| o ÄÁÄ CBS ³ Drain
ÚÄÄÄÄÁÄÄÄÄ¿ ÄÂÄ ³
³\ ³\ ³³ ³ ³ ³ ³ O
OÄÄÄ´ OÄÄÄÄÄ´ OÄÂÄÄÄÄÄÄÄ´ÃÄÂÄÄÄoSET Q oÄ ³ ³ÄÄ´ Q1 ³
³/ ³/ ³ C1³³ ³ ³ ³ ³ ÚÄ´>ÄÙ ³
PWM Ö ³ ±R1 ³ ³ ³ ³ ³ÄÄ¿ ³
IN º ³ | ± ³ ³ ³ ³ ³ ³
½ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ Rg ³
³ ³\ ³³ ³ ³ - ³ ³ ³ ³ ³ÄÄÙ
SCHMITT ÀÄ´ OÄÄÄ´ÃÄ(ÄÄÂoRST Q oÄÄ(ÄÄ´ ÃÄoı±±ÄÄÂÄÄ´<Ä¿ MF1
TRIGGER ³/ C2³³ ³ ³³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ÄÄ´
³ ±ÀÄÄÄÄÂÄÄÄÄÙ ³ ³ ³ PWM ± ³
N3 | ³ ± O ³ ³ ³ OUT ± ³
| ³ ³R2 ³ FLIP ³ ³ ³ÄÄÙ ÀÄÄÄÄÄ´
| ³ ³ ³ FLOP ³ ÀÄ´<Ä¿ Q2 Rp ³
| ³ ³ ³ ³ ³ÄÄ´ ³
| ³ ³ ³ ³ ³ ³
| ÀÄÄÁÄÄÄÄÄÁÄÄÄÄÄÄÄÁÄÄÄÄÄÄÄÁÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄ´
| ³
| O
Lado de bajo potencial | Lado de alto potencial
| Source
Figura 1: pasaje de pulsos de PWM a trav‚s de
una barrera de potencial con masas
comunes y "bootstrapping".
La figura 1 muestra como se puede hacer el pasaje de la se¤al de PWM
por v¡a de dos capacitores de peque¤o valor y de alta aislaci¢n. N1 a N3 son
buffercitos, el primero de los cuales puede tener alg£n grado de hist‚resis
para disminuir la influencia de ruidos captados por el conexionado desde la
entrada al mismo. El segundo acomoda la se¤al para la diferenciaci¢n, N3 pro-
duce una rotaci¢n de 180ø en la fase de la se¤al y la acomoda para la dife-
renciaci¢n. Tal acci¢n es realizada por C1 y C2 junto a R1 y R2, por medio de
los dos primeros la etapa queda aislada del circuito de conformaci¢n N1 a N3.
A la entrada SET y RESET del Flip Flop (FF) llegan pulsos de 12V de amplitud
pero de una duraci¢n extremadamente peque¤a, uno de los cuales setea el FF, y
el otro lo resetea. Sobre la salida Q se tiene recompuesta la se¤al previa-
mente inyectada al circuito, con un m¡nimo retardo impuesto por los inversores
N1 a N3 y el FF. Sobre la salida -Q se tiene la misma se¤al pero invertida de
fase. Justamente es esta la que se utiliza para excitar el inversor de potencia
Q1 y Q2, que ya sabemos como trabaja, y por medio de Rg llegan los pulsos de
PWM a MF1, quien es el destinatario de este proceso y uno de los MOSFET de la
etapa de salida de la fuente. D1 y Cbs son el diodo y el capacitor de bootst_
rapping del que ya hemos hablado. Por este medio, sobre el source de Q1 tenemos
unos 12 Volts con lo que alimentamos el FF y al inversor Q1 - Q2. Existe un
mecanismo para hacer que si por alguna raz¢n ajena al circuito, la tensi¢n de
alimentaci¢n no fuera lo suficientemente grande como para excitar plenamente
la compuerta de MOSFET, entonces el FF queda permanentemente seteado, y por lo
tanto la salida del inversor siempre a cero de manera de mantenerlo bloqueado
y prevenir funcionamiento err tico del mismo.
Todo este sistema descripto en la figura 1 puede ilustrarse con los
oscilogramas te¢ricos de la figura 2:
ÚÄÄÄ¿ ÚÄÄÄ¿ ÚÄÄÄÄÄÄÄ¿ ÚÄÄÄÄÄÄÄ¿ ÚÄÄÄ Entrada de
³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ PWM y salida
³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ de N2
³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³
---------------------- --------------------------------------
ÚÄÄÄÄÄÄÄ¿ ÚÄÄÄ ÄÄ¿ ÚÄÄÄ¿ ÚÄÄÄ¿ Salida de N3
³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³
³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³
³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³
---------------------- --------------------------------------
³ ³ ³ ³ ³ Entrada SET FF
³ ³ ³ ³ ³
³\ ³\ ³\ ³\ ³\
---------------------- --------------------------------------
³ ³ ³ ³ Entrada RST FF
³ ³ ³ ³
³\ ³\ ³\ ³\
---------------------- --------------------------------------
ÚÄÄÄ¿ ÚÄÄÄ¿ ÚÄÄÄÄÄÄÄ¿ ÚÄÄÄÄÄÄÄ¿ ÚÄÄÄ Q FF
³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³
³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³
³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³
---------------------- --------------------------------------
ÚÄÄÄÄÄÄÄ¿ ÚÄÄÄ ÄÄ¿ ÚÄÄÄ¿ ÚÄÄÄ¿ -
³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ Q FF
³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³
³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³
---------------------- --------------------------------------
ÚÄÄÄ¿ ÚÄÄÄ¿ ÚÄÄÄÄÄÄÄ¿ ÚÄÄÄÄÄÄÄ¿ ÚÄÄÄ GATE MF1
³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³
³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³
³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³
---------------------- --------------------------------------
Figura 2: Formas de onda del circuito de la fig. 1.
Se puede observar que la salida queda perfectamente recompuesta luego
del pasaje. La ventaja de este sistema, es que no es necesario utilizar opto-
acopladores en el pasaje de la se¤al de control del MOSFET, y por lo tanto la
velocidad de tranferencia es m s elevada. La desventaja es que exige conti-
nuidad del circuito de masa de alta tensi¢n con la de la generaci¢n del PWM.
Todo este mecanismo, con algunos aditamentos suelen venir dentro de un
circuito integrado, capacitores incluidos, y normalmente soportan hasta unos
600V de trabajo entre la entrada y la salida, y unos 15V m s para el circuito
de bootstrapping. Entre esos aditamentos se suelen disponer de se¤alizaciones
en sentido inverso, es decir, del lado de alta tensi¢n hacia el de baja por
medio de optoacopladores; de situaciones an¢malas, como ser: baja tensi¢n de
bootstrapping, compuerta del MOSFET en cortocircuito, sobreconsumo en el cir-
cuito de drain del MOSFET principal, etc. Muchos de ellos, incluyen adem s,
de un canal de excitaci¢n para el MOSFET inferior del Half Bridge, de manera
que se pueden compensar las demoras del canal superior mediante el agregado de
retardos similares en el canal inferior. De esta forma, con un solo integrado
logramos excitar un par de MOSFET's para manejar hasta 600V entre drenaje del
superior y fuente del inferior. Algunos traen incorporados sistemas de inhabi_
litaci¢n externa del integrado, de manera de cancelar la salida de pulsos del
excitador Q1 y Q2 hacia el MOSFET. Otros, incluyen una entrada exclusiva para
cada canal, mientras que otros proveen una inversi¢n incorporada para excitar
cada MOSFET principal 180ø fuera de fase, con una entrada simple.
+12V
o Dbs
³
ÃÄÄÄÄÄÄÄÄÄÂÄÄ´>ÃÄÄÂÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄ¿
Cbp ³ ³ ³ ³ Cbs
ÄÁÄ o o ÄÁÄ
ÄÂÄ ÚÄÁÄÄÄÄÄÄÄÁÄ¿ ÄÂÄ
³ ³ V B ³ ³ o ++B (hasta 600 V)
³ ³ D O ³ ³ ³
³ ³ D T ³ ³ ³
³ ³ ³ Rg1 ³ ³ÄÄÙ
³ ³ OUT1 ÃoÄÄı±±Ä(ÄÄ´<Ä¿ MF1
³ ³ ³ ³ ³ÄÄ´
oÄÄÄÄ(ÄÄ>ÄÄÄo´IN ³ ³ ³
³ ³ ³ ³ ³
³ ³ ³ ³ ³ Salida
³ ³ SC1 ÃoÄÄÄÄÄÄÄÁÄÄÄÄÄÅÄÄÄÄo Half
³ ³ ³ ³ Bridge.
oÄÄÄÄ(ÄÄ>ÄÄÄo´INH ³ ³
³ ³ ³ Rg2 ³ÄÄÙ
³ ³ OUT2 ÃoÄÄı±±ÄÄÄÄ´<Ä¿ MF2
³ ³ ³ ³ÄÄ´
³ ³ ³ ³
oÄÄÄÄ(ÄÄ<ÄÄÄo´FAULT ³ ³
³ ³ SC2 ³ ³
³ ³ ÃoÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄ´
³ ³ GND ³ ³
³ ÀÄÄÄÄÄÂÄÄÄÄÄÙ ±
³ o ± Rsc
³ ³ ±
oÄÄÄÄÁÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÁÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÁÄÄo --B
Figura 3: un excitador de half bridge
gen‚rico que utiliza el principio de
funcionamiento de la fig.1
En la figura 3 vemos un esquem tico de un integrado driver de half
bridge que utiliza el principio de funcionamiento enunciado en los par grafos
anteriores. En ella se puede apreciar la sencillez del circuito, pero a costa
de poca flexibilidad del dise¤o. Cbp es el tradicional capacitor de desacoplo
del integrado (paralelo de varios valores de electrol¡ticos, tantalios, multi-
capa, poli‚ster, etc.). Dbs y Cbs son el diodo y el capacitor de bootstrapping,
similares a los de la figura 1 y que prestan el mismo servicio. MF1 y MF2 son,
como hasta ahora, los MOSFET's de potencia de la fuente.
En el integrado, podemos observar, una entrada de gatillo para los
MOSFET's de salida (IN), una entrada de inhibici¢n (INH), y una salida de
falla (FAULT). La primera provee de la se¤al de PWM cuyos destinatarios son
los MOSFET's. Una salida (OUT1) act£a fuera de fase con respecto a la otra
(OUT2). La inhibici¢n, bloquea las dos salidas simult nea e independiente-
mente del estado de la entrada IN. Su objeto es paralizar ambas salidas, de
manera que ning£n MOSFET est activo, ergo la salida no tiene tensi¢n definida
(ni a ++B ni a --B. Esto usualmante se denomina Three State o tercer estado o
estado de alta impedancia). La salida de FAULT (Fallo) se pondr en 1 l¢gico
(por ejemplo), si se detecta un sobreconsumo sobre la etapa de salida v¡a el
sensado de corriente que se obtiene sobre un resistor dispuesto a tal efecto
(Rsc), una baja tensi¢n en el circuito de bootstrapping (con lo cual no se
puede garantizar una correcta excitaci¢n del MOSFET correspondiente, o un
cortocircuito en una compuerta de alguno de los MOSFET's.
Como ejemplo concreto de este tipo de circuitos, se pueden mencionar
la serie de ST Microelectronics, el L6384, L6385, L6386, L6387, y L6388, los
cuales forman una familia de drivers de half bridge £tiles tanto para fuentes
conmutadas como para comandar MOSFET o IGBT's para inversores de frecuencia
en los variadores electr¢nicos de velocidad para motores asincr¢nicos o servos,
mono y trif sicos. En los mismos, cada uno de ellos tiene un conexionado muy
parecido, pero cambia el tipo de se¤ales que se manejan desde la entrada. Nor_
malmente, los dos MOSFET tienen una entrada independiente en el IC, pues en el
circuito que present‚ en la figura 3 no se permite incluir un dead time, de
manera que ser¡a peligroso su uso en la vida real. Con las dos entradas inde_
pendientes, si es posible hacerlo. No obstante, hay algunos IC de este tipo
que generan internamente su propio dead time. Lo expuesto en la figura 3 es
s¢lo a t¡tulo ilustrativo.
ÉÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍ»
º Redacci¢n y dibujos en ASCII por LW1DSE Osvaldo F. Zappacosta. º
º Barrio Garay, Almirante Brown (1846), Buenos Aires, Argentina. º
º Realizado con Editor de Texto de MSDOS 7.10's (edit.com) en mi AMD's 80486.º
º 26 de mayo de 2012. º
º Revisado y actualizado 01 de septiembre de 2017. º
ÈÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍͼ
Fin del cap¡tulo #25.
ÉÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍ»
º Osvaldo F. Zappacosta. Barrio Garay (GF05tg) Alte. Brown, Bs As, Argentina.º
º Mother UMC æPC:AMD486@120MHz 32MbRAM HD SCSI 8.4Gb MSDOS 7.10 TSTHOST1.43C º
º 6 celdas 2V 150AH. 18 paneles solares 10W. º
º lw1dse@yahoo.com ; lw1dse@gmail.com º
ÈÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍͼ
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